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                              MOS管FET柵源保護

                              發布日期:2021-10-22 點擊次數:1300
                              MOS 管本身有著諸多優勢,但同時MOS管具備較敏感的短時過載能力,特別是在高頻率的運用場景,因此在運用功率 MOS 管務必為其制定有效的保護電路來提升器件的穩定性。
                              1)避免 柵極 di/dt 過高
                              因為選用驅動集成ic,其輸出阻抗較低,直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連,有可能導致功率管漏源極間的工作電壓波動,或是有可能導致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預防以上問題的產生,一般在 MOS 控制器的導出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器,電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。
                              2)避免 柵源極間過壓
                              因為柵極與源極的特性阻抗很高,漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂峰工作電壓,此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透,與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透,因此,要在 MOS 管柵極串聯穩壓極管以限定柵極工作電壓在穩壓極管值下,保護 MOS 管不被穿透。
                              3)安全防護漏源極中間過壓
                              盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大,但假如漏源極不用保護電路,一樣有可能由于器件電源開關一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂峰工作電壓,從而毀壞 MOS 管,功率管電源開關速率越快,造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞,一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。
                              深圳市冠華偉業科技有限公司,核心團隊專注MOS管15年,總部坐落于深圳。主營:MOSFET(場效應管),IGBT等器件。主要代理產品WINSOK(臺灣微碩半導體)。產品廣泛用于軍工、工控設備,醫療產品,物聯網,智能家居、及各種消費類電子產品。依托原廠全球總代理的優勢,立足于中國市場。利用完善的優勢服務為客戶引進各類先進高科技電子元件,協助各廠家生產品質優良的產品并提供完善的服務。
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